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机译:沟道电子的能量分布及其对石墨烯场效应晶体管中栅极泄漏电流的影响
School of Electronics & Information Engineering, Soochow University, 178 Gan-jiang East Road, Suzhou 215021, China;
机译:沟道电子的能量分布及其对石墨烯场效应晶体管中栅极泄漏电流的影响
机译:辐射引起的反向沟道泄漏和反向栅极偏置对薄栅氧化物部分耗尽绝缘硅上n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的漏电流瞬态的影响
机译:具有Al_2O_3 / Si_3N_4栅极绝缘体的沟道掺杂AlGaN / GaN异质结构场效应晶体管中的高漏极电流密度和降低的栅极泄漏电流
机译:亚型AlAs隔离层对InAlAs / InGaAs异质结构场效应晶体管栅极漏电流的影响
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:低能电子辐射下石墨烯场效应晶体管的接触电阻和沟道电导
机译:低能电子辐照下石墨烯场效应晶体管的接触电阻和沟道电导
机译:具有二维电子通道的光栅门控场效应晶体管中的等离子体增强电子阻力和太赫兹光电导