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章从福;
超晶格结构 半导体制造 光纤放大器 深亚微米 EDFA 技术节点 芯片制造商 光器件 半导体器件 NMOS;
机译:具有Al_2O_3 / Si_3N_4栅极绝缘体的沟道掺杂AlGaN / GaN异质结构场效应晶体管中的高漏极电流密度和降低的栅极泄漏电流
机译:嵌入式超晶格大幅减少栅极泄漏
机译:辐射引起的反向沟道泄漏和反向栅极偏置对薄栅氧化物部分耗尽绝缘硅上n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的漏电流瞬态的影响
机译:具有高k栅极电介质和无位错外延Si / Ge超晶格沟道的高性能pMOSFET
机译:纳米N沟道和P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的超薄氧化物和氮化物/氧化物堆叠的栅极电介质研究
机译:高性能氧化物薄膜晶体管的人工半导体/绝缘体超晶格沟道结构
机译:具有ZrO2和Sm2O3栅极电介质的n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管中电子迁移率降低机制的温度依赖性
机译:半导体超晶格(Inas-Gasb超晶格)中沟道的计算。
机译:能够降低其电源电压的半导体存储器(DRAM)装置对于每个字线都有一个线路解码器,该线路解码器具有连接在p沟道晶体管的栅极和另一个n沟道晶体管之间的n沟道晶体管。
机译:制造包括超晶格的半导体器件的方法并提供减少的栅极泄漏
机译:半导体器件包括超晶格并提供减少的栅极泄漏和相关方法
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