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机译:底部氧化物厚度对SONOS结构中陷阱能分布的提取的影响
机译:底部氧化物厚度对SONOS结构中陷阱能分布的提取的影响
机译:用电荷泵法提取氮化硅阱中能量分布的氮化硅-氮化物-氧化硅-硅闪存
机译:氧化硅-氮化物-氧化硅-硅(SONOS)内存中的局部陷阱电荷的分布和影响
机译:界面陷阱密度对低温下SOI NMOS器件硅膜和前氧化物厚度的影响
机译:使用门控霍尔法提取InGaAs金属氧化物半导体结构中的载流子迁移率和界面陷阱密度。
机译:凝胶厚度对植入大骨软骨缺损底部的双网状凝胶诱导的体内透明软骨再生的影响:短期结果
机译:出版商注:“氧化硅 - 氮化物氧化物 - 硅结构的”电荷衰减特性,升高温度和氮化物阱密度分布的提取“苹果酱。物理。吧。 85,660(2004)