机译:通过氢离子处理增强具有电流限制路径纳米氧化物层的电流垂直于平面的巨磁致电阻膜的磁阻
Toshiba Corporation, Corporate R & D Center, 1, Komukai Toshiba-cho, Saiwai-ku, Kawasaki 212-8582, Japan;
机译:通过氢离子处理增强具有电流限制路径纳米氧化物层的电流垂直于平面的巨磁致电阻膜的磁阻
机译:电流限制路径纳米氧化物层的电流-垂直-平面超磁阻膜与磁阻和纳米结构的关系
机译:Fe_(50)Co_(50)层的大磁阻比为10%
机译:通过在CO_2MN(GA_(0.5)SN_(0.5))/ AG接口中插入CO_(50)FE_(50)层的CO_(50)FE_(50)层增强电流垂直于平面巨磁阻的
机译:大规模基板粗糙度对巨型磁阻薄膜的影响。
机译:通过氢离子处理增强具有电流限制路径纳米氧化物层的电流垂直于平面的巨磁致电阻膜的磁阻
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机译:具有超薄CoFe层的Co(sub 70)Fe(sub 30)/ ag多层膜中的巨磁电阻