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电流垂直平面巨磁阻传感器及其制造方法以及磁存储系统

摘要

一种电流垂直平面(CPP)巨磁阻(GMR)传感器(700/800),其具有嵌入到一铁磁参考层(710)中的一复合薄膜(708)或者嵌入到一铁磁保有层(804)中的一复合薄膜(806)。通过从一铁磁金属靶和一非磁性氧化物靶同时或顺序地溅射来淀积该嵌入式复合薄膜。铁磁金属靶和非磁性氧化物靶的不同溅射功率产生铁磁金属相和非磁性氧化物相的不同体积份额。通过仔细调整这些体积份额,该CPP GMR传感器(700/800)的结电阻和面积的乘积可以被微调到一设计值因而提供用于超高密度磁记录的CPP GMR传感器(700/800)的最佳读性能。

著录项

  • 公开/公告号CN1300771C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2007-02-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 日立环球储存科技荷兰有限公司;

    申请/专利号CN200410074888.X

  • 发明设计人 林·特桑;

    申请日2004-08-30

  • 分类号G11B5/39(20060101);

  • 代理机构11105 北京市柳沈律师事务所;

  • 代理人陶凤波;侯宇

  • 地址 荷兰阿姆斯特丹

  • 入库时间 2022-08-23 08:59:25

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2012-11-14

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G11B 5/39 授权公告日:20070214 终止日期:20110830 申请日:20040830

    专利权的终止

  • 2007-02-14

    授权

    授权

  • 2005-07-27

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2005-05-25

    公开

    公开

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