机译:硅金属氧化物半导体场效应晶体管中的栅极控制磁阻
Cavendish Laboratory, University of Cambridge, Cambridge CB3 0HE, United Kingdom;
机译:勘误表:“硅金属氧化物半导体场效应晶体管中的门控磁阻”
机译:归因于背栅阶跃电位的纳米级双栅绝缘体上硅金属氧化物半导体场效应晶体管的短沟道效应减小
机译:背栅偏置对绝缘体上超薄硅金属氧化物半导体场效应晶体管中有效场和迁移率的影响
机译:离散掺杂对双栅极和栅极-AII-周围的金属氧化物半导体场效应晶体管中阈值电压变化的影响
机译:应变对硅和锗p型金属氧化物半导体场效应晶体管的空穴迁移率的影响
机译:基于GaMnAs的垂直自旋金属氧化物半导体场效应晶体管中的侧栅电场引起的大电流调制和隧穿磁阻变化
机译:错误:“栅极控制磁阻在硅金属氧化物 - 半导体场效应晶体管”Appl。物理。吧。 97,082106(2010)