机译:SiO2上石墨烯的迁移率和饱和速度
Dept. of Electrical and Computer Engineering, Micro and Nanotechnology Laboratory, University of Illinois, Urbana-Champaign, Illinois 61801, USA;
机译:“ Y函数”方法应用于饱和状态:表观饱和迁移率和饱和速度提取
机译:AL0.7GA0.3N频道高电子移动晶体管的饱和速度测量
机译:用单轴介质连续谱模型研究氮化镓中的电子迁移率和饱和速度极限
机译:SiO2衬底上石墨烯MOSFET中与环境有关的迁移率降低的机理
机译:从其基底“释放”石墨烯:通过快速电脉冲观察固有速度饱和。
机译:球形和三明治结构的石墨烯/ SiO 2载体原位聚合制备超高分子量聚乙烯/石墨烯纳米复合材料
机译:石墨烯在siO2上的迁移率和饱和速度