机译:InAlN / AlN / GaN异质结场效应晶体管的退化和相位噪声:对热电子/声子效应的影响
Department of Electrical and Computer Engineering, Virginia Commonwealth University, Richmond, Virginia 23284, USA;
机译:InAIN / AIN / GaN异质结场效应晶体管的退化和相位噪声:对热电子/声子效应的影响
机译:热声子寿命对块状GaN衬底上的InAlN / AlN / GaN异质结构场效应晶体管中电子速度的影响
机译:基于InAlN / GaN的异质结构场效应晶体管的降解:热声子的作用
机译:使用低频噪声和电流瞬变方法对In AlN / AlN / GaN异质结构场效应晶体管进行降解分析:热声子效应
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:栅极长度与漏极-源极距离之比对AlGaN / AlN / GaN异质结构场效应晶体管中电子迁移率的影响
机译:InAlN / AlN / GaN异质结场效应晶体管的退化和相位噪声:对热电子/声子效应的影响