机译:B或N掺杂对单个pyr分子器件的I-V特性的位点效应
School of Physics and Electronic Science, Changsha University of Science and Technology, Changsha 410004, People’s Republic of China;
机译:B或N掺杂对单个pyr分子器件的I-V特性的位点效应
机译:通过通信设备中石墨烯的B / N掺杂增强I-V特性的线性
机译:锚固效应对悬浮在镍电极之间的并五苯分子器件的自旋输运性质和I-V特性的影响
机译:外延层厚度和掺杂浓度变化对n-GaN肖特基二极管电流-电压(I-V)特性的影响
机译:使用渐近方法,利用靠近硅/二氧化硅界面的薄氧化物,利用量子力学效应对MOSFET器件的电流-电压(I-V)特性进行建模。
机译:高效I-V特性估计的近似单二极管光伏模型
机译:源掺杂轮廓对横向和垂直隧道场效应晶体管器件特性的影响
机译:重掺杂对肖特基势垒和p-N结的I-V特性的影响。