机译:具有PVA(Ni,Zn掺杂)界面层的Au / n-Si(1 1 1)肖特基势垒二极管的温度相关电流-电压(I-V)特性
机译:具有聚乙烯醇(Co,Ni掺杂)界面层的Au / n-Si(111)肖特基势垒二极管(SBD)的温度相关电流-电压(I-V)特性
机译:温度,辐射和照度对Au / PVA(Co,Zn掺杂)/ n-Si肖特基二极管电流-电压特性的影响
机译:对N-GaN肖特基二极管电流电压(I-V)特性的脱毛厚度和掺杂密度变化效应
机译:使用渐近方法,利用靠近硅/二氧化硅界面的薄氧化物,利用量子力学效应对MOSFET器件的电流-电压(I-V)特性进行建模。
机译:基于P型伪垂直金刚石肖特基势垒二极管正向电流-电压特性的迁移模型
机译:串联电阻和界面态密度对Au / SiO2 / n-GaN肖特基二极管电学特性的影响
机译:重掺杂对肖特基势垒和p-N结的I-V特性的影响。