机译:出版者的注释:“碳纳米管场效应晶体管性能对不同直径的沟道掺杂水平的依赖性:开/关电流比”物理来吧99,263104(2011)]
Electrical, Computer and IT College of Islamic Azad University, Qazvin Branch, 34185-1416, Qazvin, Iran;
机译:发行人注:“注入铝的横向4H-SiC金属氧化物半导体场效应晶体管中反向沟道迁移率的限制机制” [Appl。物理来吧99,072117(2011)]
机译:发行人注:“用于异质结光伏器件中有效空穴传输的同轴碳纳米管-聚噻吩核-壳纳米线” [附录1。物理来吧99,143309(2011)]
机译:碳纳米管场效应晶体管性能对不同直径的沟道掺杂水平的依赖性:开/关电流比
机译:开发最大性能的16nm N沟道碳纳米管晶体管时需要考虑漏电流和底栅电压
机译:高电流碳纳米管的演示使垂直有机场效应晶体管在工业上具有相关电压。
机译:勘误表:硅纳米线生化场效应晶体管中1 ∕ f噪声机制的温度依赖性。物理来吧97243501(2010)
机译:碳纳米管场效应晶体管性能的依赖性 不同直径的通道掺杂水平:开/关电流比