机译:从光致发光两电子跃迁直接测定同质外延AlN中的硅给体电离能
Institute of Quantum Matter/Semiconductor Physics Group, University of Ulm, Albert-Einstein-Allee 45, 89069 Ulm, Germany|c|;
机译:从光致发光两电子跃迁直接确定同质外延AlN中硅供体的电离能
机译:在MOVPE生长的同质外延AlN中硅作为浅施主的光学鉴定
机译:电场降低了硅中单施主的充电能和两电子束缚的激发态
机译:同质外延GaN中两个电子跃迁的磁谱
机译:Eu3 +和Tb3 +配合物与吡啶和三氮杂磷金刚烷氧化物(TPAO)配体的光致发光,双供体能量转移和单X射线晶体学研究。
机译:硅中精密放置的施主中的两电子自旋相关
机译:电场降低了硅中单施主的充电能和两电子束缚的激发态
机译:光电离硅的双电子供体中心的横截面。