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Visible-light photoresponse of AlN-based film bulk acoustic wave resonator

机译:AlN基薄膜体声波谐振器的可见光响应

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摘要

Visible-light photoresponse of an AlN-based film bulk acoustic wave resonator (FBAR) is demonstrated. It is found that the FBAR exhibits a resonant frequency downshift under purple light illumination and the magnitude of the frequency downshift increases as the power density increases within the range of 5–40 mW/cm2. A resonant frequency downshift of 1313?KHz is observed under 40 mW/cm2 illumination, corresponding to a minimum detection power of 6.09?nW. A sub-bandgap photoresponse of the AlN thin film is proposed to explain this phenomenon.
机译:对基于AlN的膜体声波谐振器(FBAR)的可见光光响应进行了说明。结果发现,FBAR在紫光照射下表现出共振频率下移,并且频率下移的幅度随着功率密度在5-40 mW / cm 2 范围内的增大而增大。在40 mW / cm 2 照明下观察到1313?KHz的共振频率下移,对应的最小检测功率为6.09?nW。提出了AlN薄膜的亚带隙光响应来解释这种现象。

著录项

  • 来源
    《Applied Physics Letters》 |2013年第19期|1-3|共3页
  • 作者单位

    Institute of Microelectronics, Tsinghua University, Beijing 100084, China|c|;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
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