Instituto de F&xed';
||';
'||'sica “'||';
'||'Gleb Wataghin,”'||';
'||' Unicamp, 13083-859 Campinas, Brazil;
III-V semiconductors; Raman spectra; indium compounds; light polarisation; nanofabrication; nanowires; phonon dispersion relations; semiconductor growth; 6320dd; 6322Gh; 7830Fs; 7867Uh; 8107Gf; 8116Rf;
机译:纤锌矿InP的光学声子模
机译:准一维纤锌矿GaN基量子阱线中传播的光子模的色散和霍夫电子-声子相互作用哈密顿
机译:非对称纤锌矿AlxGa1-xN / GaN / AlyGa1-yN量子阱中准约束光子模的色散及其电子-声子相互作用
机译:纤锌矿型ZnO / MgZnO多壳球形量子点的极光声子模
机译:基于1.55μm的INP的DFB激光集成Mach-Zehnder调制器的光学反馈效果高达100 GBD数据传输=1.55μm基于INP的DFB激光器集成Mach-Zehnder调制器中的光学反馈效果最多100 GBD D.
机译:在基于纤锌矿GaN的量子阱异质结构中通过具有高群速度的界面光子进行电子散射
机译:纤锌矿InP的光学声子模