机译:在1 nm厚的碳纳米膜中制备慢速高电荷离子的纳米孔
Institute of Applied Physics, TU Wien-Vienna University of Technology, 1040 Vienna, Austria;
membranes; nanofabrication; nanoporous materials; 6143Gt; 6146-w; 8105Rm; 8107-b;
机译:用缓慢的高电荷离子在1 nm厚的碳纳米膜中制备纳米孔
机译:1 nm厚碳纳米膜中慢速高电荷离子的电荷交换和能量损失
机译:纳米孔的原子雕刻成Van der Waals异质结构,具有缓慢带电离子
机译:使用甲基丙烯酸的脉冲等离子体沉积制备带电的纳米孔通道
机译:缓慢带电的离子与固体相互作用后的电子发射。
机译:使用多晶硅牺牲层工艺制造用于固态纳米孔的3nm厚的Si3N4膜
机译:穿孔的阈值和效率为1nm厚的碳纳米布朗,带缓慢带电离子