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机译:用缓慢的高电荷离子在1 nm厚的碳纳米膜中制备纳米孔
Institute, of Applied Physics, TU Wien-Vienna University of Technology, 1040 Vienna, Austria;
Institute of Ion Beam Physics & Materials Research, Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf, 01328 Dresden, Germany,Technische Universitat Dresden, 01062 Dresden, Germany;
USTEM, TU Wien-Vienna University of Technology, 1040 Vienna, Austria;
Institute of Ion Beam Physics & Materials Research, Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf, 01328 Dresden, Germany;
Institute of Ion Beam Physics & Materials Research, Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf, 01328 Dresden, Germany;
Fakultat fuer Physik, Universitat Bielefeld, 33615 Bielefeld, Germany;
Fakultat fuer Physik, Universitat Bielefeld, 33615 Bielefeld, Germany;
Fakultat fuer Physik, Universitat Bielefeld, 33615 Bielefeld, Germany;
Institute of Ion Beam Physics & Materials Research, Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf, 01328 Dresden, Germany;
Fakultat fuer Physik, Universitat Bielefeld, 33615 Bielefeld, Germany;
Institute, of Applied Physics, TU Wien-Vienna University of Technology, 1040 Vienna, Austria;
机译:在1 nm厚的碳纳米膜中制备慢速高电荷离子的纳米孔
机译:1 nm厚碳纳米膜中慢速高电荷离子的电荷交换和能量损失
机译:纳米孔的原子雕刻成Van der Waals异质结构,具有缓慢带电离子
机译:使用甲基丙烯酸的脉冲等离子体沉积制备带电的纳米孔通道
机译:缓慢带电的离子与固体相互作用后的电子发射。
机译:使用多晶硅牺牲层工艺制造用于固态纳米孔的3nm厚的Si3N4膜
机译:穿孔的阈值和效率为1nm厚的碳纳米布朗,带缓慢带电离子