机译:大气压途径在4H-SiC(0001)衬底上外延氮掺杂三层石墨烯
LGEP, CNRS UMR8507, SUPELEC, Univ Paris-Sud, Sorbonne Universités - UPMC, Univ Paris 06, 11 rue Joliot-Curie, Plateau de Moulon, 91192 Gif-sur-Yvette Cedex, France;
机译:大气压途径在4H-SiC(0001)衬底上外延氮掺杂三层石墨烯
机译:在4H-SiC(0001)衬底上在4 mbar的压力下生长的大面积外延石墨烯的光谱和扫描探针分析
机译:氩气在900 mbar环境下在4H-SiC(0001)衬底上生长的外延石墨烯的拉曼光谱和XPS分析
机译:在900毫巴环境的氩气压下,在4H-SiC(0001)衬底上生长的外延石墨烯的拉曼光谱和XPS分析
机译:2-D电子材料:6h-碳化硅上石墨烯的外延生长(0001)
机译:乙烯化学气相沉积法生长压力对4H-SiC衬底上生长的外延石墨烯的影响
机译:石墨烯在邻近4H-SiC(0001)基材上外延生长