机译:单层石墨烯/ SiC肖特基结的势垒高度本征不均匀
Department of Physics, University of Wisconsin, Milwaukee, Wisconsin 53211, USA;
机译:单层石墨烯/ SiC肖特基结的势垒高度本征不均匀
机译:石墨烯/ MOS2肖特基联盟的肖盖特屏障高度的空间不均匀性
机译:具有改善的势垒高度均匀性的单层石墨烯/ SiC肖特基势垒二极管作为检测重金属的传感平台
机译:具有几乎相同的肖特基势垒高度的1.2kV,100A,4H-SiC(0001)和(000-1)结势垒肖特基二极管的制造
机译:石墨烯/半导体肖特基结处的空间不均匀势垒高度。
机译:具有改善的势垒高度均匀性的单层石墨烯/ SiC肖特基势垒二极管作为检测重金属的传感平台
机译:具有改善的势垒高度均匀性的单层石墨烯/ SiC肖特基势垒二极管作为检测重金属的传感平台