机译:电自旋注入InGaAs / GaAs量子阱中:溅射生长的MgO隧道势垒与分子束外延方法的比较
Université de Toulouse, INSA-CNRS-UPS, LPCNO, 135 avenue de Rangueil, 31077 Toulouse, France|c|;
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机译:通过分子束外延生长在(411)A GaAs衬底上生长的伪定型调制键合N-AlGaAs / InGaAs / GaAs量子阱中的电学性质
机译:InGaAs量子点和量子点激光器的交替分子束外延和表征。
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