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机译:通过离子植入掺杂通过补偿杂质的离子植入掺杂来减少漏电流。通过补偿杂质的离子注入掺杂
National Institute of Information and Communications Technology Koganei Tokyo 184-8795 Japan;
National Institute of Information and Communications Technology Koganei Tokyo 184-8795 Japan;
National Institute of Information and Communications Technology Koganei Tokyo 184-8795 Japan Novel Crystal Technology Inc. Sayama Saitama 350-1328 Japan;
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机译:具有镁掺杂阻挡层的全离子注入平面栅极电流孔径垂直Ga_2O_3 MOSFET
机译:用于减少Si(100)衬底上SiGe和Ge外延层中的螺纹位错的界面阻挡机制
机译:将硅和氧离子注入到蓝宝石衬底上的异质外延硅层中对CMOS IC SOS技术的n沟道晶体管泄漏电流的影响
机译:通过Mg / Fe植入通过Ga_2O_3外延层和基板之间的界面减少漏电流
机译:高质量的砷化镓-铝镓-砷化物异质结构的分子束表观生长,用于微波设备的应用(量子阱,杂质,光致发光,调制掺杂)。
机译:多层氮掺杂外延生长法制备的CVD单晶金刚石的界面和力学性能
机译:通过未激活的Mg掺杂GaN层抑制AlGaN / GaN Hemts中的再生界面漏电流
机译:外延Gaas中表面态和衬底掺杂引起的杂质梯度。