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【2h】

Suppression of the regrowth interface leakage current in AlGaN/GaN HEMTs by unactivated Mg doped GaN layer

机译：通过未激活的Mg掺杂GaN层抑制AlGaN / GaN Hemts中的再生界面漏电流

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T. Liu; H. Watanabe; S. Nitta; J. Wang; G. Yu; Y. Ando; Y. Honda; H. Amano; A. Tanaka; Y. Koide;
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年度 2021
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