机译:低肖特基势垒通过Sn电极与2H-MoS_2接触
Natl Univ Singapore Ctr Adv 2D Mat 6 Sci Dr 2 Singapore 117546 Singapore|Natl Univ Singapore Dept Phys 2 Sci Dr 3 Singapore 117551 Singapore;
机译:使用Sn电极降低n型Ge接触的肖特基势垒高度
机译:整流Cu / pyronine-B / p-Si,Au / pyronine-B / p Si,Sn / pyronine-B / p-Si和Al / pyronine-B / p Si触点的肖特基势垒高度
机译:欧姆接触到中等掺杂的半导体-它们是真正的欧姆接触还是低势垒肖特基接触?
机译:肖特基屏障通过嵌入的金纳米粒子降低了Al / Si / Al背靠背的肖特基触点
机译:理解金属/半导体肖特基接触的电性能:块体和纳米级结构中势垒不均匀性和几何形状的影响。
机译:具有低肖特基势垒接触的紫外到红外悬浮金属-半导体-金属介观多层MoS2宽带探测器中的超高光响应性
机译:用于限制Ge基肖特基势垒mOsFET漏电流的高质量肖特基接触