机译:X_2O_3 / GaN(X = Al,Sc)界面的化学键和能带对准
Univ Cambridge, Dept Engn, Cambridge CB2 1PZ, England;
Swansea Univ, Coll Engn, Swansea SA1 8EN, W Glam, Wales;
Univ Cambridge, Dept Engn, Cambridge CB2 1PZ, England;
机译:X_2O_3 / GaN(X = Al,SC)接口的化学键合和带对准
机译:Al_2O_3 / GaN,Sc_2O_3 / GaN和La_2O_3 / GaN界面处的原子结构和能带对准:第一性原理研究
机译:GaAs / Al_2O_3界面的能带排列和化学键合:混合功能研究
机译:通过光诱导的开路电位偏移探索的N-GAN /电解质接口处的带对准,用于高效的水分裂
机译:使用弹道电子发射显微镜在金属/分子层/半导体和金属/量子点界面进行能带对准。
机译:III型氮化物半导体中II型能带对准的证据:In0.17Al0.83N / GaN异质结构的实验和理论研究
机译:InSb(111)A?界面键合铜酞菁,生长模式和能带对准