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机译:GaAs / Al_2O_3界面的能带排列和化学键合:混合功能研究
Chaire de Simulation a l'Echelle Atomique (CSEA), Ecole Polytechnique Federate de Lausanne (EPFL), CH-1015 Lausanne, Switzerland;
Chaire de Simulation a l'Echelle Atomique (CSEA), Ecole Polytechnique Federate de Lausanne (EPFL), CH-1015 Lausanne, Switzerland;
Chaire de Simulation a l'Echelle Atomique (CSEA), Ecole Polytechnique Federate de Lausanne (EPFL), CH-1015 Lausanne, Switzerland;
机译:Al_2O_3 / GaN,Sc_2O_3 / GaN和La_2O_3 / GaN界面处的原子结构和能带对准:第一性原理研究
机译:通过AION钝化层的金属有机化学沉积HfTiO / InGaAs栅堆叠的界面优化和能带对准
机译:X_2O_3 / GaN(X = Al,Sc)界面的化学键和能带对准
机译:Ⅱ型GaAs / Gaassb多量子孔中的巨偏偏振光和光电导性,界面化学键诱导
机译:在化学功能化的Si(111)/真空界面上测量带弯曲和表面偶极子。
机译:MBE在GaAs上生长的应变GaAsSb / GaAs QW结构的光致发光和能带排列
机译:在1-Y P合金界面中的1-x P / Al Y中的Ga x在Hybrid密度函数理论计算中的带对准