机译:通过肖特基势垒将室温自旋注入SiC
Jilin Univ, Dept Phys, Key Lab Phys & Technol Adv Batteries, Minist Educ, Changchun 130012, Jilin, Peoples R China;
Univ Chinese Acad Sci, Beijing Natl Lab Condensed Matter Phys, Chinese Acad Sci, Inst Phys, Beijing 100190, Peoples R China;
机译:4H-SiC肖特基势垒二极管,结屏障肖特基二极管和引脚二极管的温度传感性能比较
机译:通过改良的肖特基势垒从铁磁体到半导体的高效非线性室温自旋注入
机译:不同退火温度下W / 4H-SiC肖特基接触的不均匀势垒和相组成分析
机译:适用于宽温度应用的1.2kV 4H-SiC肖特基势垒二极管的温度依赖性
机译:蒙特卡罗模拟半导体异质结构中的自旋极化传输和通过肖特基势垒的自旋注入。
机译:外延SiC肖特基势垒二极管的大剂量电子辐射和预期的室温自愈
机译:铁磁体的高效非线性室温自旋注入 通过改进的肖特基势垒进入半导体