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公开/公告号CN214279984U
专利类型实用新型
公开/公告日2021-09-24
原文格式PDF
申请/专利权人 长沙理工大学;
申请/专利号CN202022397823.6
发明设计人 谢海情;蔡稀雅;范志强;刘刚;崔凯月;
申请日2020-10-26
分类号H01L29/78(20060101);H01L29/47(20060101);
代理机构
代理人
地址 410114 湖南省长沙市天心区万家丽南路2段960号
入库时间 2022-08-23 00:36:37
机译: 碳纳米管基场效应晶体管的制造方法和由此制造的碳纳米管基场效应晶体管
机译: AFM局部氧化法制备SiC纳米尺度结构
机译: 纳米尺度场效应晶体管器件的应变变化方法
机译:肖特基势垒3C-SiC纳米线场效应晶体管
机译:基于纳米线的肖特基势垒场效应晶体管在传感器应用中的多尺度建模
机译:栅介电材料对不同沟道长度的弹道肖特基势垒石墨烯纳米带场效应晶体管和碳纳米管场效应晶体管电流-电压特性的依赖性
机译:薄纳米晶金刚石基肖特基势垒二极管和其他两个端子结构的电性能。
机译:GaN基纳米级肖特基势垒二极管中的势垒不均匀性限制了电流和1 / f噪声的传输
机译:肖特基势垒碳纳米管场效应晶体管的三维分析
机译:聚合物基复合材料界面现象与纳米粒子配置的多尺度模拟。