机译:具有集成分子浮栅/隧道层的有机晶体管非易失性存储器
Jilin Univ, Coll Elect Sci & Engn, 2699 Qianjin St, Changchun 130012, Jilin, Peoples R China;
机译:隧穿层对基于浮栅的有机薄膜晶体管非易失性存储器性能的影响
机译:PMMA隧穿介电层的多孔结构对非易失性浮栅有机场效应晶体管存储器件性能的影响
机译:基于分子浮栅和pn异质结沟道层的高性能柔性有机薄膜晶体管非易失性存储器
机译:使用二元小分子分散的聚合物存储层提高溶液可处理的有机浮栅晶体管存储器的性能
机译:用于浮栅非易失性存储器应用的高级隧道电介质。
机译:半导体:基于并五苯/ P13 /并五苯作为电荷传输层和陷阱层的有机半导体异质结构的高性能非易失性有机场效应晶体管存储器(Adv。Sci。8/2017)
机译:基于有机半导体异质结构的高性能非易失性有机场效应晶体管存储器作为电荷输送和捕获层的五苯甲酸/ P13 /五苯二烯异质结构