机译:AlN单晶和外延层中的带边缘激子态
Department of Electrical Engineering, Arizona State University, Tempe, Arizona 85287-5706;
机译:层状混杂钙钛矿单晶的带边激子精细结构和激子复合动力学
机译:通过控制(AlN / GaN)多缓冲层的应变来改善AlN和AlGaN外延层的晶体质量
机译:掺杂的WS2和2H-WS2单晶的能量与温度的关系以及带边激子的展宽参数
机译:300-2300 K温度范围内单晶块状6H-SiC和AlN外延层的电导率
机译:基于4H-SiC N型外延层和像素Cdznte单晶装置的高分辨率辐射检测器
机译:氧气对AlN外延层的有意极性转换
机译:外部磁场中Singlecdse / ZnSnancrystals的带边励磁精细结构
机译:熔盐电解法制备碳化硅单晶和外延层及其特性