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机译:GaAs(311)B衬底上覆盖有AlGaAs层的GaAs / AlGaAs纳米线
NTT Corp, NTT Basic Res Labs, Atsugi, Kanagawa 2430198, Japan;
VAPOR-PHASE EPITAXY; INAS WHISKERS; GAAS; GROWTH; CARBON;
机译:AlGaAs缓冲层在Si衬底上生长掺锌GaAs / AlGaAs异质结构纳米线
机译:在硅基板上的分子束外延生长AlGaAs和AlgaAs / GaAs / AlgaAs纳米线
机译:限制在AlGaAs阻挡层中的GaAs(311)B衬底上的InGaAs量子点
机译:GaAs 100和311 B衬底上InGaAs / AlGaAs应变层中电子束辐照引起的表面变形现象
机译:MOCVD生长的GaAs / AlGaAs核壳纳米线的光致发光和共振拉曼光谱。
机译:在(100)和(311)B GaAs衬底上生长的GaAs / AlGaAs多量子阱的深层瞬态光谱
机译:在(100)和(311)B GaAs衬底上生长的GaAs / AlGaAs多量子阱的深层瞬态光谱
机译:alGaas / Gaas / alGaas和alGaas / InGaas / alGaas热电子晶体管的瞬态模拟