机译:独立式GaN衬底上的蓝色和近紫外发光二极管
General Electric Global Research Center, Niskayuna, New York 12309;
机译:在独立式GaN衬底上生长的InGaN / GaN多量子阱蓝色发光二极管中的效率下降
机译:在独立m面GaN衬底上生长的InGaN / GaN发光二极管的形态演变
机译:在独立m面GaN衬底上生长的InGaN / GaN发光二极管的形态演变
机译:蓝色和近紫外线发光二极管对散装GaN的生长和特征
机译:在半极性(202′1′)GaN衬底上的高功率蓝色激光二极管。
机译:独立式GaN衬底对紫外InGaN发光二极管中载流子定位的影响
机译:独立式GaN衬底对紫外InGaN发光二极管中载流子定位的影响