机译:记忆隧道氧化物中由电应力产生的氧化物固定电荷的起源和重新分配
L2MP, UMR-CNRS 6137, IMT Technopole de Chateau Gombert, 13451 Marseille Cedex 20, France;
机译:通过编程/擦除持久性分析NAND闪存中浮栅电荷的移位和生成的隧穿氧化物陷阱电荷分布的新方法
机译:动态应力下电可擦只读存储器隧道氧化物的导电特性
机译:Fowler-Nordheim隧穿注入在金属氧化物半导体电容器的不同氧化物中产生的电荷的比较
机译:通过Fowler-Nordheim电流测量确定应力作用下记忆隧道氧化物中的氧化物电荷重新分配
机译:用于ULSI应用的超薄原位蒸汽生成(ISSG)二氧化硅和氮化物/氧化物堆的电气和物理分析
机译:非易失性存储应用中的扫描探针显微镜技术对掺杂铜的氧化锌薄膜中的陷获电荷进行电学研究
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机译:金属氧化物 - 硅结构中电离辐射产生界面态和氧化物电荷的起源。