机译:晶圆键合金属基板的大功率AlGaInP发光二极管
Department of Materials Science and Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu 300, Taiwan, Republic of China;
机译:晶圆键合制备的大面积AlGaInP / Mirror / Si发光二极管的表征
机译:50 mm直径镜面基板与AlGaInP发光二极管晶圆的水键合
机译:75 mm直径的GaP与AlGaInP-GaP发光二极管晶圆的晶圆键合
机译:晶圆键合制造的具有金属基质的AlGaInP发光二极管
机译:在柔性基板上制造的非晶硅薄膜晶体管有源矩阵有机发光二极管显示器。
机译:4英寸硅衬底上的高功率基于GaN的垂直发光二极管
机译:低压金属有机气相外延制备的n和p-GaAs取向错误衬底上的AlGaInP发光二极管的比较
机译:由太阳能电池型硅基板制造的硅p-N结二极管的金属化和表征。