机译:栅极长度为50 nm的硅化n型肖特基势垒金属氧化物半导体场效应晶体管
Semiconductor and Basic Research Laboratory, Electronics and Telecommunication Research Institute, Daejon 305-350, Korea;
机译:硅化n型肖特基势垒金属氧化物半导体场效应晶体管的双极载流子注入特性
机译:栅长小于10 nm的硅化n型肖特基势垒金属氧化物半导体场效应晶体管的特性
机译:使用掺杂剂隔离的绝缘体上硅基肖特基势垒金属氧化物半导体场效应晶体管有效降低肖特基势垒
机译:十米级肖特基势垒金属氧化物半导体场效应晶体管的快速热退火技术形成Formation硅化源漏结。
机译:后收缩肖特基源极金属氧化物半导体场效应晶体管。
机译:肖特基势垒金属氧化物半导体晶体管的可扩展性
机译:使用掺杂剂隔离的绝缘体上硅基肖特基势垒金属氧化物半导体场效应晶体管有效降低肖特基势垒
机译:增强肖特基势垒InGaas / al(x)Ga(1-X)作为应变通道调制掺杂场效应晶体管的表征