声明
摘要
1.1课题来源
1.2课题研究的目的及意义
1.3国内外研究现状与发展动态
1.3.1面向高温环境应用的半导体器件
1.3.2高温薄膜型SBDs的研究现状
1.4论文主要研究内容
1.5论文创新点
2金属-半导体接触相关理论
2.1概述
2.2肖特基接触
2.2.1理想肖特基势垒形成
2.2.2电流传输机制
2.2.3空间耗尽层电容
2.3影响肖特基势垒高度的因素
2.3.1表面态
2.3.2镜像力
2.4欧姆接触
2.5 SBDs等效电路模型
2.6本章小结
3.1概述
3.2 a-IGZO半导体材料性能
3.3电极材料选择
3.3.1阳极金属
3.3.2阴极金属
3.3 a-IGZO SBDs器件制备
3.4本章小结
4.1概述
4.2常温特性测试系统介绍
4.3制备条件对a-IGZO SBDs性能的影响
4.3.1阳极金属材料
4.3.2 a-IGZO层厚度
4.3.3整流结面积
4.3.4溅射氧气含量
4.4本章小结
5.1概述
5.2高温特性测试系统介绍
5.3 a-IGZO SBDs高温特性测试及分析
5.3.1 a-IGZO SBDs高温参数提取及分析
5.3.2 a-IGZO SBDs温度传感器高温参数提取及分析
5.4本章小结
6.1论文工作总结
6.2工作展望
参考文献
攻读硕士期间发表的论文及所取得的研究成果
致谢
中北大学;