机译:AlInN层在光学监测自立式GaN衬底上GaN基结构的生长中的用途
机译:与GaN一维晶格匹配的非极性和半极性AlInN,用于实现松弛的缓冲层,用于基于光学的GaN器件中的应变工程
机译:在GaN和蓝宝石衬底上进行基于GaN的激光二极管结构的MOVPE生长期间晶片表面温度的均匀性
机译:通过控制用于GaN成核层生长的反应器压力,可以改善在Si(111)衬底上生长的GaN基发光二极管的性能
机译:利用大晶格失配引起的应力控制技术在硅衬底上外延生长高质量的GaN基异质结构
机译:GaN基发光二极管上的光学功能结构,用于提高光提取效率和控制发射模式。
机译:使用低Al组成的单个AlGaN层在Si衬底上生长高质量和均匀的AlGaN / GaN异质结构
机译:AlInN层在光学监测独立式GaN衬底上GaN基结构的生长中的用途
机译:m面alGaN / GaN和alInN / GaN异质结构的外延生长适用于常驻型GaN基板上的常关模式高功率场效应晶体管