机译:具有GaNAs势垒和GaAs间隔层的InGaAs量子阱退火过程中铟和氮的扩散机理
Microelectronics Research Center and Texas Materials Institute, The University of Texas at Austin, Austin, Texas 78712 USA;
机译:间隔层厚度对在GaAs(3 1 1)B衬底上生长的InGaAs / GaNAs量子点垂直排列的影响
机译:势垒层对MOCVD生长的准非晶InGaAs /(Al)GaAs量子阱中铟偏析的影响
机译:具有四级势垒层的长波InGaAs / GaAs量子点红外光电探测器的后生长退火引起的光谱展宽
机译:通过增加InGaAsP势垒层中的铟和磷成分来增加InP(001)衬底上InAs柱状量子点的光致发光强度
机译:InGaAs量子柱中的太赫兹吸收和砷化铟/砷化镓量子点中的电磁场的激子调谐。
机译:退火对1.3μmInAs-InGaAs-GaAs量子点电吸收调制器性能的影响
机译:间隙应变补偿层对金属 - 有机化学气相沉积生长的快速热退火indaAs / GaAs量子点红外光电探测器的影响
机译:单片二维表面发射应变层InGaas / alGaas和alInGaas / alGaas二极管激光器阵列,具有超过50%的差分量子效率