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机译:具有四级势垒层的长波InGaAs / GaAs量子点红外光电探测器的后生长退火引起的光谱展宽
Center for Nanoelectronics, Department of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology Bombay, Mumbai 400076, Maharashtra, India;
Center for Nanoelectronics, Department of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology Bombay, Mumbai 400076, Maharashtra, India;
Epitaxy; Annealing; Photodetector; Quantum dot;
机译:四元合金(InAlGaAs)封顶的InAs / GaAs多层量子点异质结构的热稳定性,其生长速率,势垒厚度,种子量子点单层覆盖率和生长后退火均会发生变化
机译:生长后退火对四元In_(0.21)Al_(0.21)Ga_(0.58)的35层In_(0.50)Ga_(0.50)As / GaAs量子点红外光电探测器的材料和器件特性的影响的详细研究封顶
机译:具有四元In_(0.21)Al_(0.21)Ga_(0.58)As封盖的高性能长波(〜10.2μm)InGaAs / GaAs量子点红外光电探测器
机译:高响应度(〜2.16A / W)和探测(〜1011琼斯)在长波长(〜10.2μm)中的高响应度(〜2.16A / W),与季陀螺圈的长波长(〜10.2μm)中的长波长(〜10.2μm)
机译:Igaas量子点的相干壮观= koh?怨恨不同的区别和Ingaas Pollarts
机译:等离子体层叠InAs / InGaAS量子点 - 孔阱像素检测器用于光谱 - 整形和光电流增强
机译:间隙应变补偿层对金属 - 有机化学气相沉积生长的快速热退火indaAs / GaAs量子点红外光电探测器的影响
机译:多堆Inas / InGaas亚单层量子点红外光电探测器。