机译:GaAsSb应变减小层覆盖的InAs / GaAs量子点的长波长发光和发射
Department of Electronic and Electrical Engineering, EPSRC National Center for III-V Technologies, University of Sheffield, Sheffield S1 3JD, United Kingdom;
机译:GaAs衬底上生长的GaAsSb覆盖的InAs量子点发出的长波长光
机译:GaAsSb应变减小层覆盖的Ⅱ型InAs / GaAs量子点的光学跃迁
机译:GaAsSb / InAs / GaAs量子点异质结构的I型II型能带对准受点尺寸和减应力层组成的影响
机译:52 INAS / GAAS量子点被渐变的Gaassb应变减小层覆盖
机译:用于太阳能电池的高质量InAs / GaAsSb量子点的外延生长。
机译:具有优化的GaAsSbN覆盖层的InAs / GaAs量子点的长波长室温发光
机译:带有薄GaAsSb盖层的InAs / GaAs量子点的室温1.6 µm发光