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Generalized Keller-Simmons formula for nonisothermal plasma-assisted sputtering depositions

机译:非等温等离子体辅助溅射沉积的广义Keller-Simmons公式

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摘要

A general description of the relation between the sputtering rate and the deposition rate in plasma-assisted sputtering deposition has been developed. The equation derived yields the so-called Keller-Simmons [IBM J. Res. Dev. 23, 24 (1979)] formula in the limit of zero thermal gradients in the deposition system. It is shown that the Keller-Simmons formula can still be applied to fit the experimental results if the characteristic pressure-distance product, p_0L_0, is related to the temperature of the sputter cathode and the growing film. Using this relation, it is found that the variations in the values for p_0L_0 for different experimental conditions agree with the thus far not well understood experimental trends reported in the literature.
机译:已经开发出等离子体辅助溅射沉积中溅射速率与沉积速率之间关系的一般描述。推导出的方程产生了所谓的Keller-Simmons [IBM J. Res。开发人员23,24(1979)]计算沉积系统中零热梯度的极限。结果表明,如果特征压力距离乘积p_0L_0与溅射阴极和生长膜的温度有关,则凯勒-西蒙斯公式仍可用于拟合实验结果。利用这种关系,发现针对不同实验条件的p_0L_0值的变化与迄今文献中报道的尚未充分理解的实验趋势一致。

著录项

  • 来源
    《Applied Physics Letters》 |2006年第21期|p.211501.1-211501.3|共3页
  • 作者单位

    Surfaces, Interfaces and Devices, Department of Physics and Astronomy, Faculty of Science, Utrecht University, NL-3508 TA Utrecht, The Netherlands;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类 应用物理学;计量学;
  • 关键词

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