机译:在InGaN表面从电子累积过渡到耗尽
机译:在β-Ga2O3表面从电子累积过渡到耗尽:氢的作用和电荷中性水平
机译:确定In_xGa_(1-x)N薄膜表面从电子累积到耗尽的过渡点
机译:通过氧等离子体表面处理耗尽In_2O_3(001)和(111)表面电子
机译:电子积累/耗尽在F_(16)COPC / ZNQ_3异质结:Kelvin探测和电荷运输研究
机译:窄带隙半导体的电子结构和表面电子累积化。
机译:MoS2中的二维电子传输和表面电子积累
机译:在InGaN表面从电子累积过渡到耗尽