机译:异质结构Pb(Zr,Ti)O_3 /(Bi,Nd)_4Ti_3O_(12)铁电薄膜的疲劳行为
机译:低疲劳外延全(001)取向(Bi,La)_4Ti_3O_(12)/ Pb(Zr_(0.4)Ti_(0.6)O_3 /(Bi,La)_4Ti_3O_(12)三层薄膜的显微结构和铁电性能在(001)SrTiO_3基板上
机译:通过脉冲激光沉积在SrTiO_3衬底上的全外延三层铁电体(Bi,La)_4Ti_3O_(12)/ Pb(Zr_(0.4)Ti_(0.6))O_3 /(Bi,La)_4Ti_3O_(12)薄膜
机译:SrTiO_3(011)上全外延铁电三层(Bi,La)_4Ti_3O_(12)/ Pb(Zr_(0.4)Ti_(0.6))O_3 /(Bi,La)_4Ti_3O_(12)薄膜的形貌和微观结构
机译:应变增强的PB(Zr_(0.8)Ti_(0.2))O_3 / PB(Zr_(0.2)Ti_(0.8))O_3多层薄膜而无缓冲层的介电和铁电性能
机译:镧锶锰(LA0.67SR0.33MNO3)和锆钛酸铅(PBZR0.52TI0.48O3)薄膜异质结构中的自极化感应磁电耦合
机译:Pb(Zr0.53Ti0.47)O3薄膜中铁电和光学性质的厚度依赖性
机译:异质结构Pb(Zr,Ti)O3 /(Bi,Nd)4Ti3O12铁电薄膜
机译:a-sITE-aND /或B-sITE-mODIFIED pBZRTIO3材料和(pB,sR,Ca,Ba,mG)(ZR,TI,NB,Ta)O3薄膜,具有铁电随机存取存储器和高性能薄膜微处理器的实用性