机译:绝缘体上硅衬底上非晶SiGe层凝结Ge期间的固相外延
机译:使用原位RPCVD后退火在SiO2 / Si(100)衬底上非晶生长的Si1-xGex层的横向固相外延
机译:离子注入非晶化的SiGe薄膜固相外延再生过程中的非晶-晶体界面演化
机译:通过在SiO_2 / Si衬底上的Ge凝结通过Ge凝结的多晶SiGe和Ge-on-Insulator的制造
机译:在不透明基板上具有Ge级SiGe层的基板型氢化非晶SiGe薄膜太阳能电池
机译:氢化物气相外延生长极性和非极性氮化物半导体准衬底,用于分子束外延开发光电子器件
机译:卤化物气相外延在锥形截肢型蓝宝石衬底上生长的α-GA2O3癫痫脱位的减少
机译:掩埋非晶硅层固相外延期间的氢气改进
机译:通过碳注入和固相外延生长亚稳siC和siGeC合金