机译:通过极性选择性掺杂同时生长GaN p / n横向极性结
机译:利用极性掺杂选择性在MESFET中实现GaN横向极性结
机译:通过极性掺杂选择性制备GaN p / n横向极性结
机译:使用原子层沉积的Al_2O_3在Ga-极性GaN上选择性转换GaN极性
机译:通过极性掺杂选择性制造GaN P / N侧极性结
机译:光学建模,MOCVD生长和新型制造技术的半极(20-21)GaN倒装芯片边缘发射激光器结构
机译:GaN的极性反转横向过生长和选择性湿法蚀刻和再生长(PILOSWER)
机译:极性 - 倒的横向过度栽培和选择性湿法蚀刻和再生(Piloswer)的GaN