机译:极性 - 倒的横向过度栽培和选择性湿法蚀刻和再生(Piloswer)的GaN
机译:外延横向过生长掩模面积比对GaN再生长的影响
机译:通过在AlGaN / GaN中进行选择性区域p-GaN沟槽填充再生长的横向p-GaN / 2DEG结二极管
机译:通过选择性横向过度生长在Si(111)衬底上生长的GaN金字塔中的缺陷
机译:菱形外延侧向过度生长。
机译:GaN的极性反转横向过生长和选择性湿法蚀刻和再生长(PILOSWER)
机译:通过选择性金属有机气相外延,Mg-Enviant of Patched GaN / Sapphire底物上的GaN的横向过度生长
机译:GaN外延横向过生长的传输,生长机制和材料质量