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Determination of the valence band offset of wurtzite InN/ZnO heterojunction by x-ray photoelectron spectroscopy

机译:X射线光电子能谱法测定纤锌矿InN / ZnO异质结的价带偏移

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摘要

The valence band offset (VBO) of the wurtzite InN/ZnO heterojunction is directly determined by x-ray photoelectron spectroscopy to be 0.82 ± 0.23 eV. The conduction band offset is deduced from the known VBO value to be 1.85 -+ 0.23 eV, which indicates a type-I band alignment for InN/ZnO heterojunction.
机译:纤锌矿型InN / ZnO异质结的价带偏移(VBO)由X射线光电子能谱直接确定为0.82±0.23 eV。从已知的VBO值推导导带偏移为1.85-+ 0.23 eV,这表示InN / ZnO异质结的I型能带对准。

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