用XPS测量ZnS0.8Te0.2／GaP半导体异质结的价带偏移

摘要

应用Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）对分子约束延生长的ＺｎＳ０．８Ｔｅ０．２／ＧａＰ半民体异质结进行了直接法测量，得其价带偏移值为１．５ｅＶ采用芯态能级技术法测量，得茯价带偏移值为１．４５ｅＶ，在测量误差范围，两种方法测得的结果相一致。