机译:在4H-SiC上用于GaN生长的AlN成核层中的螺纹位错行为
机译:使用AlN和GaN成核层上的原位沉积氮化硅掩模减少GaN层中的螺纹位错
机译:使用AlN和GaN成核层上的原位沉积氮化硅掩模减少GaN层中的螺纹位错
机译:硅衬底上的AlN成核层中的螺纹位错和AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管结构中的垂直泄漏电流的影响
机译:4H-SiC无台阶台阶型衬底上MOCVD GaN / AlN薄膜中的位错形核和生长
机译:具有非常低的螺纹位错密度的氮化镓层的生长。
机译:GaN / AlGaN /溅射AlN成核层对GaN基紫外发光二极管性能的影响
机译:在轴上蓝宝石衬底上的N极性GaN的mOCVD生长:alN的影响 GaN表面小丘密度上的成核层
机译:螺纹螺纹和刃口位错对4H-siC同质外延层输运性能的影响