机译:使用富硅氮化硅作为电荷存储层的非易失性多晶硅薄膜晶体管存储器
Graduate Institute of Optoelectronic, Department of Electrical Engineering, and Center of Nanoscience and Nanotechnology, National Chung Hsing University, 402 Taichung, Taiwan, Republic of China;
机译:具有使用纳米压印技术制造的周期性鳍状通道的非易失性多晶硅-薄膜晶体管-氧化硅-氮化物-氧化硅-硅存储器
机译:嵌入金属-氮化铝-氧化物-硅类型的镍纳米晶体低温度非易失性存储器应用的低温多晶硅薄膜晶体管
机译:具有氧化物-氮化物-氧化物堆叠的非易失性低温多晶硅薄膜晶体管存储器件
机译:使用栅极感应和沟道感应(GSCS)方法研究富硅氮化物薄膜的电荷俘获特性
机译:低热预算多晶硅-锗/硅薄膜晶体管技术
机译:退火处理对富硅SiNx:H薄膜的光致发光和电荷存储机制的影响
机译:具有氧化物/氮化物/氧化物堆叠栅极电介质和纳米线通道的非易失性多晶硅薄膜晶体管存储器