机译:由于在纳米多孔Gan模板上生长的Ingan / gan异质结构中的载流子定位,增强了发光效率。
机译:载流子定位对MOCVD生长的InGaN / GaN异质结构光学特性的影响
机译:GaN / Si(111)模板上的InGaN / GaN量子阱增强的光致发光,并在低温AIN中间层上扩展了三维GaN生长
机译:块状GaN晶体上生长的InGaN / GaN双异质结构激光二极管结构中的局部化效应
机译:GaN纳米柱种植的Ingan / GaN垂直异质结构的发光特征
机译:高性能紫外线光电探测器和LED和光电探测器的单片集成在SI上生长的P-GAN / AlGaN / GaN异质结构上的LED和PhotoTopetector
机译:InGaN / GaN多量子阱LED纳米线中的载流子局部化效应:发光量子效率的提高和负热活化能
机译:在块状GaN晶体上生长的InGaN / GaN双异质结构激光二极管结构中的定位效应。