机译:顶表面钝化对绝缘体上超薄SiGe和Ge的底部沟道空穴迁移率的影响
机译:利用超薄$ hbox {SiO} _ {X} $改进的Ge表面钝化,实现具有HfSiO / WN栅叠层的高迁移率表面沟道pMOSFET
机译:利用超薄$ hbox {SiO} _ {X} $改进的Ge表面钝化,实现具有HfSiO / WN栅叠层的高迁移率表面沟道pMOSFET
机译:Ge凝结技术制备的(110)取向绝缘体上Ge沟道p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的沟道方向,有效场和空穴迁移率的温度依赖性
机译:(110)表面超薄体SOI MOSFET中空穴迁移率的研究:硅厚度和体掺杂的影响
机译:基于孔边界的拓扑和特征识别点云数据和表面与物理孔之间的差异化
机译:超薄壳层显着影响聚合物纳米粒子表面流动性
机译:(100) - (100) - 和(110) - 超薄 - 身体(UTB)硅 - 绝缘体(SOI)金属氧化物半导体场效应晶体管(110) - 和(110) - 和(110)的孔隙